IPG20N04S408BATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8-10
數(shù)量：: 2592
說明：: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG20N04S408BATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：8-PowerVDFN
安裝類型：表面貼裝，可潤(rùn)濕側(cè)翼
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：65W（Tc）
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2940pF @ 25V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 30μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：7.6 毫歐 @ 17A，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?-T2
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

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