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IPD70N04S307

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 99  
說(shuō)明:
 MOSFET
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IPD70N04S307 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:8 ns
功率耗散:79 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:7 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):6.8 m Ohms
漏極連續(xù)電流:70 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPD70N04S307的詳細(xì)信息,包括IPD70N04S307廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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