IPD530N15N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數量：: 5002
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPD530N15N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPD530N15N3GBTMA1 IPD530N15N3GXT SP000521720
典型關閉延遲時間：13 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：9 ns
功率耗散：68 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.053 Ohms
漏極連續電流：21 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

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