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IPD50N06S4L12ATMA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO252-3-11
數量：
 846  
說明：
 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
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IPD50N06S4L12ATMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2890 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 20μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：12 毫歐 @ 50A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：50A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：Digi-Key 停止提供
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是IPD50N06S4L12ATMA1的詳細信息，包括IPD50N06S4L12ATMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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