IPD170N04N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數量：: 5643
說明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 30A

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IPD170N04N G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPD170N04NGBTMA1 IPD170N04NGXT SP000388297
典型關閉延遲時間：7 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：1 ns
功率耗散：31 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：2.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.017 Ohms
漏極連續電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

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