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IPB13N03LB G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：
 4554  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 30A
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IPB13N03LB G-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IPB13N03LB G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：16 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：4 ns
功率耗散：52 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：42 S
下降時間：2.8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：18.6 m Ohms
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB13N03LB G的詳細信息，包括IPB13N03LB G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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