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IPB08CN10N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3
數(shù)量：: 1593
說明：: MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

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IPB08CN10N G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB08CN10NGXT
典型關閉延遲時間：26 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：24 ns
功率耗散：167 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：8.5 m Ohms
漏極連續(xù)電流：95 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB08CN10N G的詳細信息，包括IPB08CN10N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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