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IMZA120R007M1HXKSA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO247-4-8
數量：
 7245  
說明：
 SIC DISCRETE
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IMZA120R007M1HXKSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：750W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9170 nF @ 25 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：220 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 47mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：9.9 毫歐 @ 108A，18V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：225A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：CoolSiC?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IMZA120R007M1HXKSA1的詳細信息，包括IMZA120R007M1HXKSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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