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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：228W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1900 pF @ 800 V
Vgs（最大值）：+20V，-10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：52 nC @ 15 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 10mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：59 毫歐 @ 20A，15V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：52A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：CoolSiC?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies
以上是IMW120R045M1XKSA1的詳細信息，包括IMW120R045M1XKSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
