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中文參數如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：-
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：-
產品狀態：在售
包裝：CoolSiC?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies
以上是IMT65R030M1HXUMA1的詳細信息，包括IMT65R030M1HXUMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
