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中文參數如下:
:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):52W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):110 pF @ 400 V
Vgs(最大值):-10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 690μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):-
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):-
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):10.4A(Tc)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術:GaNFET(氮化鎵)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:CoolGaN?
系列:卷帶(TR)
品牌:Infineon Technologies
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