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中文參數如下：
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：200 mW
集電極連續電流：+ / - 150 mA
封裝形式：2-2J1A
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：120
增益帶寬產品fT：150 MHz, 120 MHz
集電極—射極飽和電壓：0.1 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：+ / - 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：+ / - 50 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V, - 50 V
晶體管極性：NPN/PNP
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba
以上是HN1B04FU-GR(L,F,T)的詳細信息，包括HN1B04FU-GR(L,F,T)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
