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HGT1S12N60A4DS

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: D2PAK（TO-263）
數量：: 1251
說明：: IGBT 晶體管 12A 600V N-Ch

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HGT1S12N60A4DS PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：HGT1S12N60A4DS_NL
工廠包裝數量：50
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續電流 Ic：54 A
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263AB-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：167 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 250 nA
在25 C的連續集電極電流：54 A
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S12N60A4DS的詳細信息，包括HGT1S12N60A4DS廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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