點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)80V
Id 時的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 3520pF @ 10V
功率 - 最大25W
安裝類型表面貼裝

以上是HAT2279H-EL-E的詳細信息，包括HAT2279H-EL-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

BUK9M3R3-40HX

BUK7M3R3-40HX

IPC100N04S51R9ATMA1

AOT380A60L

AOT292L

R6004JND3TL1

SIR120DP-T1-RE3

IAUZ40N10S5N130ATMA1

BUK7Y3R5-40HX

IPP026N04NF2SAKMA1