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中文參數如下：

工廠包裝數量：100
安裝風格：Through Hole
集電極最大連續電流 Ic：60 A
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-3P
功率耗散：170 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 500 nA
在25 C的連續集電極電流：60 A
柵極/發射極最大電壓：+/- 25 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：900 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Toshiba

以上是GT60M303(Q)的詳細信息，包括GT60M303(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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