GT15J341,S4X

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220SIS
數量：: 900
說明：: PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO

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GT15J341,S4X PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-220-3 整包
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：80 ns
測試條件：300V，15A，33 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：60ns/170ns
柵極電荷：-
輸入類型：標準
開關能量：300μJ（開），300μJ（關）
功率 - 最大值：30 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：60 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：15 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：-
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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