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GD30MPS06J

廠家:
  GeneSiC Semiconductor
封裝:
 TO-263-7
數量:
 5428  
說明:
 DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
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GD30MPS06J-TO-263-7圖片

GD30MPS06J PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:TO-263-7
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:735pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:-
反向恢復時間 (trr):-
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):-
電流 - 平均整流 (Io):51A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
產品狀態:在售
包裝:SiC Schottky MPS?
系列:管件
品牌:GeneSiC Semiconductor

以上是GD30MPS06J的詳細信息,包括GD30MPS06J廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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