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中文參數如下:
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發射極最大電壓:20 V
封裝形式:SOT-227
最大工作溫度:+ 175 C
柵極—射極漏泄電流:- 400 nA
集電極—射極飽和電壓:1.9 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:IGBT-Inverter
產品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
制造商:GeneSiC Semiconductor
以上是GB100XCP12-227的詳細信息,包括GB100XCP12-227廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!