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GB05MPS33-263

廠家：
  GeneSiC Semiconductor
封裝：
 TO-263-7
數(shù)量：
 5265  
說明：
 DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7
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GB05MPS33-263-TO-263-7圖片

GB05MPS33-263 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-263-7
封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：288pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：10 μA @ 3000 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：3 V @ 5 A
電流 - 平均整流 (Io)：14A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：3300 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：SiC Schottky MPS?
系列：管件
品牌：GeneSiC Semiconductor

以上是GB05MPS33-263的詳細(xì)信息，包括GB05MPS33-263廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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