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中文參數如下:
工廠包裝數量:50
最大二極管電容:8 pF
封裝形式:TO-263
安裝風格:Through Hole
工作溫度范圍:- 55 C to + 175 C
最大功率耗散:42 W
最大反向漏泄電流:4 uA
正向電壓下降:1.8 V
恢復時間:17 ns
最大浪涌電流:10 A
正向連續電流:1 A
峰值反向電壓:1200 V
產品:Schottky Silicon Carbide Diodes
RoHS:是
制造商:GeneSiC Semiconductor
以上是GB01SLT12-252的詳細信息,包括GB01SLT12-252廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!