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中文參數如下:
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:1000 mW
直流電流增益 hFE 最大值:70 at 50 mA at 2 V
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
增益帶寬產品fT:160 MHz
最大直流電集電極電流:2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V
集電極—基極電壓 VCBO:35 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.
以上是FXT749的詳細信息,包括FXT749廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!