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中文參數(shù)如下:
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:1000 mW
直流電流增益 hFE 最大值:40 at 10 mA at 5 V
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
增益帶寬產(chǎn)品fT:30 MHz
最大直流電集電極電流:0.5 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:300 V
集電極—基極電壓 VCBO:300 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.
以上是FXT657的詳細信息,包括FXT657廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!