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FSEZ1216BNY

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 DIP-8
數量：
 603  
說明：
 MOSFET Prim Side Contr PWM Contr w/Power MOSFET
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FSEZ1216BNY-DIP-8圖片

FSEZ1216BNY PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：13 ns
工廠包裝數量：59
功率耗散：800 mW
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Tube
封裝形式：DIP-8
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 105 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9.3 Ohms
漏極連續電流：1 A
汲極/源極擊穿電壓：600 V
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FSEZ1216BNY的詳細信息，包括FSEZ1216BNY廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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