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FQI19N20LTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK
數(shù)量：: 2430
說明：: MOSFET

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FQI19N20LTU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：130 ns
上升時間：300 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：180 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：I2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.14 Ohms
漏極連續(xù)電流：21 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI19N20LTU的詳細信息，包括FQI19N20LTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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