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FQE10N20LCTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-225AA，TO-126-3
數(shù)量：: 8487
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

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FQE10N20LCTU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C360 毫歐 @ 2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs19nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 490pF @ 25V
功率 - 最大12.8W
安裝類型通孔

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