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FQB6N90TM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 1134
說明：: MOSFET

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FQB6N90TM PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：95 ns
上升時間：80 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：6.3 S
下降時間：55 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.9 Ohms
漏極連續(xù)電流：5.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQB6N90TM的詳細信息，包括FQB6N90TM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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