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FQA70N08

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-3P
數量:
 1746  
說明:
 MOSFET
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FQA70N08-TO-3P圖片

FQA70N08 PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:90 ns
上升時間:300 ns
功率耗散:190 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:145 ns
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.017 Ohms
漏極連續電流:77.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQA70N08的詳細信息,包括FQA70N08廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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