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FQA58N08

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-3P
數量：
 1728  
說明：
 MOSFET
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FQA58N08-TO-3P圖片

FQA58N08 PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：70 ns
上升時間：200 ns
功率耗散：180 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：95 ns
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.024 Ohms
漏極連續電流：64 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQA58N08的詳細信息，包括FQA58N08廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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