FP35R12KT4BOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數量：: 3870
說明：: IGBT MOD 1200V 35A 210W

一、本商品被瀏覽0次.

FP35R12KT4BOSA1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：2 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.25V @ 15V，35A
功率 - 最大值：210 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：三相反相器
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：Digi-Key 停止提供
包裝：EconoPIM? 2
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

以上是FP35R12KT4BOSA1的詳細信息，包括FP35R12KT4BOSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：