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中文參數如下:
工廠包裝數量:3000
輸出設備:NPN Phototransistor
每芯片的通道數量:1 Channel
最大反向二極管電壓:6 V
正向電流:20 mA
包裝形式:Bulk
封裝形式:Mini Flat-4
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 125 C
最大功率耗散:300 mW
最大正向二極管電壓:1.8 V
絕緣電壓:3750 Vrms
最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V
最大集電極/發射極電壓:75 V
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FODM8801B的詳細信息,包括FODM8801B廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!