FMB857B

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SuperSOT?-6
數(shù)量：: 8982
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor

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FMB857B PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：700 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：220 @ 2mA，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：15nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：45 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：500 mA
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

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