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FGA60N65SMD

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-3P
數量：
 7276  
說明：
 IGBT 晶體管 650V, 60A Field Stop IGBT
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FGA60N65SMD-TO-3P圖片

FGA60N65SMD PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：30
安裝風格：Through Hole
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3PN
功率耗散：600 W
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續集電極電流：120 A
柵極/發射極最大電壓：20 V
集電極—射極飽和電壓：1.9 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：650 V
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGA60N65SMD的詳細信息，包括FGA60N65SMD廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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