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FGA30T65SHD

廠家：
  onsemi
封裝：
 TO-3PN
數量：
 2223  
說明：
 IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
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FGA30T65SHD PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：31.8 ns
測試條件：400V，30A，6 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：14.4ns/52.8ns
柵極電荷：54.7 nC
輸入類型：標準
開關能量：598μJ（開），167μJ（關）
功率 - 最大值：238 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：90 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：停產
包裝：-
系列：管件
品牌：onsemi

以上是FGA30T65SHD的詳細信息，包括FGA30T65SHD廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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