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FF100R12RT4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：
數量：: 2093
說明：: IGBT 模塊 IGBT Module w/ IGBT & Diode

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FF100R12RT4 PDF參數資料

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中文參數如下：

最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：20 V
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：555 W
柵極—射極漏泄電流：100 nA
集電極—射極飽和電壓：2 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是FF100R12RT4的詳細信息，包括FF100R12RT4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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