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FDS8858CZ

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 8-SOIC
數量：
 8712  
說明：
 MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
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FDS8858CZ PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：19 ns, 33 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：3 ns, 10 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：27 S / 21 S
下降時間：3 ns, 16 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：17 m Ohms / 20.5 m Ohms
漏極連續電流：8.6 A, - 7.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V, +/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V / - 60 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS8858CZ的詳細信息，包括FDS8858CZ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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