中文參數如下:
典型關閉延遲時間:23 ns
上升時間:5 ns
功率耗散:1600 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
漏極連續電流:6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FDS6912A_Q的詳細信息,包括FDS6912A_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!