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FDS6673BZ_F085

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOIC-8
數量:
 6309  
說明:
 MOSFET -30V P-Channel PowerTrench
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FDS6673BZ_F085-SOIC-8圖片

FDS6673BZ_F085 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:225 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:16 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:88 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :60 S
下降時間:105 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.5 mOhms
漏極連續電流:- 14.5 A
閘/源擊穿電壓:25 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDS6673BZ_F085的詳細信息,包括FDS6673BZ_F085廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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