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FDP2670_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-220AB
數量：
 6606  
說明：
 MOSFET 200V NCh PowerTrench
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FDP2670_Q-TO-220AB圖片

FDP2670_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：26 ns
上升時間：5 ns
功率耗散：93 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：24 S
下降時間：23 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.13 Ohms
漏極連續電流：19 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP2670_Q的詳細信息，包括FDP2670_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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