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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:93 ns
工廠包裝數量:5000
上升時間:10 ns
功率耗散:1.4 W
柵極電荷 Qg:16 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :21 S
下降時間:54 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:MicroFET
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):31 mOhms
漏極連續電流:- 5 A
閘/源擊穿電壓:8 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FDME510PZT的詳細信息,包括FDME510PZT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!