中文參數如下:
典型關閉延遲時間:232 ns
上升時間:141 ns
功率耗散:450 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:126 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-247
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0035 Ohms
漏極連續電流:80 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:75 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FDH038AN08A1_Q的詳細信息,包括FDH038AN08A1_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!