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FDFME3N311ZT

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 6-MicroFET(1.6x1.6)
數量:
 1215  
說明:
 MOSFET Int. NCh PowerTrench MOSFET & Sch. Diode
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FDFME3N311ZT-6-MicroFET(1.6x1.6)圖片

FDFME3N311ZT PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:35 ns
工廠包裝數量:5000
上升時間:16 ns
功率耗散:1.1 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :2.8 S
下降時間:2.8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:MicroFET
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):299 mOhms
漏極連續電流:1.6 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDFME3N311ZT的詳細信息,包括FDFME3N311ZT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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