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FDD3510H

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252（DPAK）
數量：: 5913
說明：: MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench

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FDD3510H PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：16 ns, 25 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：2 ns, 3 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：2 ns, 5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.08 Ohms
漏極連續電流：4.3 A, - 2.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD3510H的詳細信息，包括FDD3510H廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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