FDD2670

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 5886
說明：: MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET

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FDD2670-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

FDD2670 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FDD2670_NL
典型關閉延遲時間：30 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：8 ns
功率耗散：3.2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：15 S
下降時間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252AA
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.13 Ohms
漏極連續(xù)電流：3.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD2670的詳細信息，包括FDD2670廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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