中文參數如下:
典型關閉延遲時間:9 ns
上升時間:8 ns
功率耗散:0.9 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SSOT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):13 Ohms
漏極連續電流:- 0.12 A
閘/源擊穿電壓:- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:- 25 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FDC6302P_Q的詳細信息,包括FDC6302P_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!