FDB2670

廠(chǎng)家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 3078
說(shuō)明：: MOSFET 200V N-Channel Pwr Trench

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FDB2670-TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB圖片

FDB2670 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：FDB2670_NL
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：26 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：5 ns
功率耗散：93 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：24 S
下降時(shí)間：23 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.13 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：19 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB2670的詳細(xì)信息，包括FDB2670廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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