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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:335 ns
工廠包裝數量:30
上升時間:191 ns
功率耗散:375 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:121 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3PN
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0032 Ohms
漏極連續電流:235 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:75 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FDA032N08的詳細信息,包括FDA032N08廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!