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FD-DF80R12W1H3_B52

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數(shù)量：: 3879
說明：: IGBT MOD 1200V 40A 215W

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FD-DF80R12W1H3_B52 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 125°C
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：235 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值：215 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：40 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：單路
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：PrimePACK?2
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

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