EMF5XV6T5G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-563
數(shù)量：: 7416
說明：: 兩極晶體管 - BJT BRT Dual NPN & PNP

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EMF5XV6T5G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：8000
包裝形式：Reel
最大功率耗散：357 mW
集電極連續(xù)電流：0.1 A
封裝形式：SOT-563-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min：80 at 5 mA at 10 V
最大直流電集電極電流：0.1 A
集電極—射極飽和電壓：50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：6 V at Q2
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V
集電極—基極電壓 VCBO：50 V
晶體管極性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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