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中文參數如下:
輸出設備:NPN Phototransistor
每芯片的通道數量:1 Channel
最大上升時間:18 us
最大下降時間:18 us
正向電流:20 mA
包裝形式:Tube
封裝形式:DIP-4
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 110 C
最大功率耗散:200 mW
最大集電極電流:50 mA
電流傳遞比:150 % to 300 %
絕緣電壓:5000 Vrms
最大集電極/發射極飽和電壓:0.2 V
最大集電極/發射極電壓:35 V
RoHS:是
產品種類:晶體管輸出光電耦合器
制造商:Everlight
以上是EL817(D)的詳細信息,包括EL817(D)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!