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DMN3730UFB4-7

廠家：
  Diodes Inc.
封裝：
 3-XFDFN
數量：
 5571  
說明：
 MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
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DMN3730UFB4-7-3-XFDFN圖片

DMN3730UFB4-7 PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：0.69 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1.6 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：40 mS
包裝形式：Reel
封裝形式：DFN1006H4-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：460 mOhms
漏極連續電流：0.73 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN3730UFB4-7的詳細信息，包括DMN3730UFB4-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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